高光譜相機(jī)中的CCD（電荷耦合器件）和CMOS（互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體）成像傳感器在以下幾個(gè)方面存在區(qū)別：

1. 靈敏度：由于CMOS傳感器的每個(gè)像素由四個(gè)晶體管與一個(gè)感光二極管構(gòu)成，使得每個(gè)像素的感光區(qū)域遠(yuǎn)小于像素本身的表面積，因此在像素尺寸相同的情況下，CMOS傳感器的靈敏度要低于CCD傳感器。

2. 成本：CMOS傳感器采用一般半導(dǎo)體電路最常用的CMOS工藝，可以輕易地將周邊電路（如AGC、CDS、Timing generator、或DSP等）集成到傳感器芯片中，因此可以節(jié)省外圍芯片的成本。而CCD采用電荷傳遞的方式傳送數(shù)據(jù)，只要其中有一個(gè)像素不能運(yùn)行，就會(huì)導(dǎo)致一整排的數(shù)據(jù)不能傳送，因此控制CCD傳感器的成品率比CMOS傳感器困難許多，導(dǎo)致CCD傳感器的成本會(huì)高于CMOS傳感器。

3. 速度：CCD電荷耦合器需在同步時(shí)鐘的控制下一位一位地輸出信息，速度較慢；而CMOS光電傳感器采集光信號(hào)的同時(shí)就可以取出電信號(hào)，還能同時(shí)處理各單元的圖像信息，速度比CCD電荷耦合器快很多。

4. 電源及耗電量：CCD電荷耦合器大多需要三組電源供電，耗電量較大；CMOS光電傳感器只需使用一個(gè)電源，耗電量非常小，僅為CCD電荷耦合器的1/8到1/10，CMOS光電傳感器在節(jié)能方面具有很大優(yōu)勢(shì)。

5. 集成性：CCD中的電路和器件是集成在半導(dǎo)體單晶材料上，工藝較復(fù)雜。而CMOS將圖像信號(hào)放大器、信號(hào)讀取電路、A/D轉(zhuǎn)換電路、圖像信號(hào)處理器及控制器等集成到一塊芯片上，只需一塊芯片就可以實(shí)現(xiàn)相機(jī)的所有基本功能，集成度很高。

總結(jié)來說，CCD和CMOS成像傳感器在高光譜相機(jī)中各有優(yōu)缺點(diǎn)。在選擇使用哪種類型的傳感器時(shí)，需綜合考慮靈敏度、成本、速度、電源及耗電量以及集成性等多方面的因素。